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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제11호
발행연도
2004.1
수록면
1,143 - 1,148 (6page)

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In this study, photoresist stripping in semiconductor or LCD(liquid crystal display) fabrication processes using DIO3 was investigated. In order to obtain the high PR stripping efficiency of DIO3., we have developed new ozone-generating system with high ozone concentration and ozone-resolving system with high contact ratio. In this study, we obtained ozone gas concentrations of 11 % by new ozone-generating system, ozone-resolving efficiency of 99.5 % and maximum solubility of 130 ppm in deionized water. We applied the newly designed equipments to photoresist stripping processes and obtained similar results to SPM(sulfuric-peroxide mixture) process characteristics.
#Ozone #PR strip #DIO3 #Photoresist #Efficiency

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/ 1998. / Cleaning tech- nology in semiconductor manufacturing : 20 ~ google schola / 1998. / Cleaning technology in semicon- ductor device manufacturing : 3 ~ 35 google schola / 1999. / Photoresist stripping faces low-k challenges 22 (12) : 64 ~ google schola / 2000. / Advanced Front-end-of-the-linecleaning : 1 ~ google schola / 2003. / 오존을 이용한 반도체 웨이퍼 세정 및 PR 제거 공정 26 (1) : 1089 ~ google schola

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