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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 100 - 103 (4page)
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고순도의 SiC분말을 이용하여 성장시킨 반절연 SiC단결정에서 바나듐의 분포가 관찰되었다. 고순도 분말과 내부캡슐은 시드의 반대편에 위치시켜 성장하였고 2300℃의 성장온도에서 6H-SiC 시드상에 단결정을 성장시켰다. 순도가 낮은 SiC 분말을 사용하여 성장시킨 SiC 결정의 품질보다 고순도의 SiC 분말을 사용하여 성장시킨 SiC 결정이 고품질을 갖는 것으로 나타났다. 또한 고순도 SiC 분말을 사용하여 1x1010 Ωcm 이상의 평균 비저항 값과 균일한 비저항 값을 갖는 반절연 웨이퍼를 얻을 수 있었다.
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M. Bickermann / 2003 / On the preparation of vanadium doped PVT grown SiC boules with high semi-insulating yield / Journal of Crystal Growth 254(3-4):390~399
M. E. Zvanut / 2004 / Defect levels and types of point defects in high-purity and vanadium-doped semi-insulating 4H–SiC / Journal of Applied Physics 96(10):5484~5489
St. G. Mueller / 1996 / SIMC 219
J. R. Jenny / 1995 / On the compensation mechanism in high‐resistivity 6H–SiC doped with vanadium / Journal of Applied Physics 78(6):3839~3842
H. McD. Hobgood / 1995 / Semi‐insulating 6H–SiC grown by physical vapor transport / Applied Physics Letters 66(11):1364~1366
M. E. Zvanut / 2004 / Defect levels and types of point defects in high-purity and vanadium-doped semi-insulating 4H–SiC / Journal of Applied Physics 96(10):5484~5489
St. G. Mueller / 1996 / SIMC 219
J. R. Jenny / 1995 / On the compensation mechanism in high‐resistivity 6H–SiC doped with vanadium / Journal of Applied Physics 78(6):3839~3842
H. McD. Hobgood / 1995 / Semi‐insulating 6H–SiC grown by physical vapor transport / Applied Physics Letters 66(11):1364~1366
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